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机房防雷接地工程设计方案

  数据中心通常依靠高频功率转换来有效地分配和管理电力,而SiC MOSFET具有低开关损耗和快速开关速度,可实现高频操作。

  如之前的介绍用于 IC 封装的再分布层(RDL)技术及晶圆级封装中的窄间距RDL技术及应用]技术通常用于芯片封装中的信号和电源引脚映射,用于实现芯片与封装之间的连接。然而,对于高功率应用,尤其是需要传输大电流或高功率的电路,额外的考虑和技术措施是必要的。

  相位噪声是振荡器在极短的时间内频率稳定度的度量参数。它来源于振荡器输出信号由噪声引起的相位、频率的变化。频率稳定度分为两个方面:长期稳定度和短期稳定度,其中,短期稳定度在时域内用艾伦方差来表示,在频域内用相位噪声来表示。

  在化学工业中,保持精确的温度控制对于优化反应速率、确定保证产品质量和确保安全操作至关重要

  上篇文章提到用于 IC 封装的再分布层(RDL)技术Redistribution layer, RDL 的基本概念是将 I/O 焊盘的位置分配到芯片的其他位置,即用RDL转接到锡球焊接的着陆焊盘位置。

  Redistribution layer (再分布层,RDL),是添加到集成电路或微芯片中以重新分配电气连接的金属层。这种RDL技术是一种用于集成电路(IC)的先进封装解决方案,允许将多个芯片集成到单个封装中。它是在介电层顶部创建图案化金属层的过程,该金属层将 IC 的输入/输出 (I/O) 重新分配到新位置。新位置通常位于芯片的边缘,这允许使用标准表面贴装技术 (SMT) 将 IC 连接到印刷电路板 (PCB)。RDL 技术使设计人员能够以紧凑、高效的方式放置芯片,由此减少器件的整体尺寸。

  半导体器件的制造由许多步骤组成,这些步骤必须产生定义明确的结构,并且从一个器件到下一个器件的偏差很小。每一步都一定要考虑之前和随后的制造步骤,以确保实现所需的高制造质量。大多数过程都是在真空腔室中通过引入不同的气态化学物质进行的,这些化学物质通过与基材反应来改变表面。IC最小特征的形成被称为前端制造工艺(FEOL),本文将集中简要介绍这部分,将按照如下图所示的 22 nm 技术节点制造 FinFET 的工艺流程,解释了 FEOL 制作的完整过程中最重要的工艺步骤。

  衬底:NPN双极晶体管的基础是p掺杂(硼)硅衬底,上面沉积了厚氧化层(600 nm)。

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  12月4日,以“战略重构 商业觉醒”为主题的2023高工氢电年会在深圳举办,未势能源副总裁解超朋博士受邀出席开幕式论坛,以《把握机遇、直面挑战,迎接氢车规模化推广时代》为主题发表演讲,并参与圆桌论坛研讨。 氢势已来,全球氢能产业布局加速 基于全球氢能产业高质量发展现状及趋势,解超朋博士分析,全球发达国家地区在发展清洁零碳能源方面,氢能战略方向基本相同,且氢能项目覆盖领域广泛,多侧重于长途重载的氢能交通工具,以及绿电制氢

  近日,英国知名半导体公司XMOS首席执行官MarkLippett先生、业务发展执行副总裁RohitMalhotra先生及亚太区业务总监牟涛一行来访声扬科技进行参观交流,在声扬科技联合发起人、首席科学家张伟彬博士的带领下进一步探索AI语音前沿技术,就未来进一步在终端语音领域深化合作与开拓创新应用展开交流。英国半导体公司XMOS一行与声扬科技联合发起人、首席科学家

  当云服务器受到攻击时,采取适当的应对策略是关键,以确保系统的安全和可用性。下面,小编给大家简单总结一下云服务器被攻击应对方法: 1、监控和检测:部署实时监控系统,定期审查日志,以便及时有效地发现异常活动和潜在的攻击行为。监测能够在一定程度上帮助在攻击开始时立即采取行动。 2、防火墙配置:使用云防火墙配置规则,限制对服务器的不必要访问。只允许必要的端口和协议,以减少潜在攻击面。 3、更新和修补:定期更新操作系统、应用程序和安全

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