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机房防雷接地工程设计方案

  中国半导体发展风起云涌,购并、建厂消息不断,在市场、国安等考量下,存储器更是中国重点发展项目,成为多方人马竞逐的主战场。中国存储器后进厂商 2018 年开始产能逐步开出,目前状况到底如何?研究机构集邦科技 TrendForce 做了图表简单解析。

  据 TheLec 报道,美国第九巡回上诉法院日前驳回了律所 Hagens Berman 发起的集体诉讼,该所诉称三星电子、SK 海力士、美光等 DRAM 头部企业在 2016-2018 年期间合谋抬高市场行情报价,损害消费者利益。 上诉法院表示,被告行为在自由市场中是恰当的,不足以作为确凿的市场操纵依据。 IT之家了解到,该诉讼是美国律师事务所“哈根斯・伯曼”召集当地消费者集团提出的。 哈根斯-伯曼表示:“掌控全球 DRAM 市场 96%(以 2017 年中期为准) 的三星电子、SK 海力士、美光三家公司通过串通合谋,人为地抬高了 DRAM 行情。”并以违反《反垄断法》的罪名对这一些企业提起诉讼。 哈根斯・伯曼一

  2014、2015年的NAND Flash供给和需求将会经历剧烈冲击,但这背后代表意义也是智慧型手机和平板电脑等终端应用仍有持续成长的空间,因此半导体晶片业者仍愿意投入资本扩大,加上NAND Flash制程技术可持续微缩,已进展到3D NAND技术世代,促使半导体厂扩产拼命往前冲。 上游记忆体大厂扩产,加上2013年下半年经历高阶智慧型手机市场趋近饱和,导致需求转到中低阶智慧型手机身上,也让NAND Flash市场饱受冲击,价格持续下跌至2014年初。2014年2月合约价相较1月下修达14%,足以反映市场供过于求的现况。 2014年左右NAND Flash市场供需的是三星电子(Samsung Electronics)的西安厂

  MarketWatch、Yonhap News报导,南韩记忆体大厂Hynix Semiconductor Inc.执行长O.C. Kwon 13日在记者会上表示,DRAM产业可望在今(2012)年下半年开始复苏,主因DRAM价格在尔必达(916665)于2月底宣布破产后终于展开反弹走势。     Kwon指出,DRAM价格最近已大致触底,可望在今年下半年逐步改善,至于会反弹多少则视全球经济复苏情况及市场供给量而定;此外,供给在尔必达破产、同业投资活动紧缩的带动下,今年的成长率可望维持在低水位。不过,Kwon认为该公司的获利恐难以在本季显著改善。     南韩最大行动电话营运商鲜京电信(SK Tel

  近日,浪潮华芯集成电路产业园在济南举行了隆重的奠基仪式。有必要注意一下的是,此次奠基仪式受到了济南市、工信部、科技部、核高基等众多组织及部门的支持。 省委常委、市委书记王敏,市委副书记、市长杨鲁豫,工信部电子信息司司长丁文武,省科技厅厅长翟鲁宁,市委常委、秘书长杨峰,科技部国家重大专项办公室副主任金弈名,国家核高基重大专项总体组组长、国家“863计划”信息领域专家组组长、清华大学微电子所所长魏少军,市政府秘书长李华贤出席两个项目开工仪式。 据了解,华芯集成电路产业园是济南综合保税区获得国务院批复后的第一个重点项目,将享受国家综合保税区的各项政策。该园区总占地295亩,规划总投资50亿元,项目建成后年产6亿颗高端芯片,年销售收

  市场研调机构集邦(TrendForce)旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示,时序进入传统出货淡季,加上全球需求面不佳,11月上旬DRAM合约价议定意愿普遍不高,加以市场上供货紧俏的状况正逐渐缓解,合约价格再度以持平开出,4GB均价约在32美元价位,2GB均价则维持在17.75美元。 DRAMeXchange指出,从市场面来观察,SK Hynix无锡厂正在恢复产能当中,10月份投片已经来到3万片,11月投片虽在确认当中,但也应有4至6万片以上水准,虽然该厂区仍受设备商出货递延影响产能恢复进度,但原则上无锡厂的产能供应将有机会于明年Q1全面恢复。 在此同时,SK Hynix为满足市场需求,在火灾后立即启动补救

  韩国NAND Flash大厂三星及SK海力士,4月以来减少供货,市场原冀望美大厂美光(Micron)可释出更多货源,但美光5月底未如预期释出货源,连日本东芝6月底季底作帐期间也未增加供货,让模块厂及通路商跌破眼镜,不得不在7月开始追货。     MLC、TLC规格NAND Flash芯片同步缺货,通路业者已打算提前涨价,初估7月上旬32Gb MLC/TLC价格将上涨到3.8~4美元以上,64Gb则上看5.5~6美元,平均涨幅至少达一成,对于NAND营收占比较高的创见、广颖、劲永等模块厂,第3季营运是旺上加旺。     第2季是NAND Flash传统淡季,但受到韩系NAND厂减少供货影响,价格并未出现淡季下跌效应。三星及

  第3季PC及行动装置销售成绩不如预期,但生产链上下游的DRAM库存全处于满水位,为降低仓库存储上的压力,ODM/OEM厂已开始抛售过剩存货,导致DRAM现货价在5周内崩跌15~20%。由于8月上旬现货价已跌落合约价之下,DRAM价格会出现「死亡交叉」,旺季转淡已成定局。 根据集邦科技及模块业者报价,4Gb DDR3现货价昨日已砍到3.2美元,2Gb DDR3现货价砍至1.5美元,但8月上旬合约价与7月持平,4Gb DDR3合约价格介于3.3~3.5美元间,2Gb DDR3则介于1.6~1.7美元间。也就是说,DRAM价格已在8月上旬出现了现货价跌破合约价的「死亡交叉」。 合约价一般来说可视为DRAM买家的平均成本,现货价跌破合

  ARM公司日前发布了一系列全新的PrimeCell AMBA 3 AXI静态存储控制器,以此全面支持新的和即将出现存储设备,包括NAND闪存、 NOR闪存, SRAM和高性能仿静态RAM(CellularRAM)设备。 PrimeCell AXI静态存储控制器向设计师提供了单一的IP解决方案,用于使用了CellularRAM和闪存的系统。结合了现有的支持DDR和移动DDR的PrimeCell AXI动态存储控制器,对DDR2的支持也在开发过程中,ARM公司目前已能向广泛的应用提供一个完整的、高性能的存储控制器解决方案。 PrimeCell AXI静态存储控制器是可配置的,在保持低成本和PrimeCells预先验证低

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